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DMP3056LDM
10
1
1.7
1.5
1.3
0.1
T A = 150°C
1.1
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
0.9
V GS = -10V
I D = -10A
0.001
T A = 25°C
T A = -55°C
0.7
V GS = -4.5V
I D = -5A
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 8 On-Resistance Variation with Temperature
100
R DS(on) Limited
T J(MAX) = 150°C
T A = 25°C
Single Pulse
10
8
10
P W = 10μs
1
0.1
0.01
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
6
4
2
0
V DS = -15V
I D = 6A
0.1
1
10
100
0
5 10 15 20
25
1.4
1.2
1.0
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Safe Operation Area
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
0.8
0.6
0.4
0.2
Note 5
0
0
25 50
75 100 125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 11 Power Dissipation vs. Ambient Temperature
DMP3056LDM
Document number: DS31449 Rev. 11 - 2
4 of 6
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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